发明名称 |
一种半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造领域,本发明提供了一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极;在所述栅电极上形成金属氧吸除层;对所述器件进行热退火处理,以使所述金属氧吸除层吸除界面层中的氧,使界面层的厚度减小。通过本发明能够在减小界面层厚度的同时,利用退火工艺使得金属氧吸除层中的金属扩散进入栅电极和/或栅介质层,从而进一步实现调节有效功函数,控制阈值电压的效果。 |
申请公布号 |
CN102222616A |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN201010147605.5 |
申请日期 |
2010.04.14 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
韩锴;王文武;王晓磊;陈世杰;陈大鹏 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市立方律师事务所 11330 |
代理人 |
张磊 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极;在所述栅电极上形成金属氧吸除层;对所述器件进行热退火处理,以使所述金属氧吸除层吸除界面层中的氧,使界面层的厚度减小。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |