发明名称 |
光学元件 |
摘要 |
本发明提供光学元件,可防止透过接合层的光的透射率降低。利用等离子体聚合法对接合具有透光性的第一基材(11)与具有透光性的第二基材(12)的接合层(13)进行成膜,包含硅氧烷键、结晶度为45%以下的Si骨架以及与该Si骨架结合的由有机基团构成的离去基团,并具有粘接性,该粘接性是通过在施加能量时存在于表面附近的离去基团从Si骨架脱离而显现出来的,当设波长为λ、设该波长λ下的接合层(13)的折射率为n、设常数为M(M=O,1,2,...)时,根据n×d/λ={(M+1)/2}+α式[1] -0.1≤α≤+0.1式[2A] 来求出接合层(13)的厚度d。 |
申请公布号 |
CN102221724A |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN201110093635.7 |
申请日期 |
2011.04.14 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
松崎文武;松本浩 |
分类号 |
G02B5/30(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J183/04(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;黄纶伟 |
主权项 |
一种光学元件,其包括:具有透光性的第一基材;具有透光性的第二基材;以及接合层,其通过等离子体聚合法而设置,对所述第一基材与所述第二基材进行接合,该光学元件的特征在于,所述接合层含有:硅氧烷Si‑O键、结晶度为45%以下的Si骨架、以及与该Si骨架结合的离去基团,所述离去基团由有机基团构成,所述接合层具有粘接性,该粘接性是通过在对所述接合层的至少一部分区域施加能量时所述离去基团从所述Si骨架脱离而显现出来的,当设所述接合层的厚度为d、设透过的光的波长为λ、设该波长λ下的所述接合层的折射率为n时,满足n×d/λ={(M+1)/2}+α ...[1]‑0.1≤α≤+0.2 ...[2]其中,M为自然数。 |
地址 |
日本东京都 |