| 发明名称 | 一种双镶嵌结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种双镶嵌结构的形成方法，提供衬底，所述衬底上形成有介质层，对所述介质层进行刻蚀，形成露出衬底表面的通孔；对位于通孔间的介质层进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽用于连接相邻的通孔；对所述通孔间的介质层进行修复刻蚀，使其具有光滑的表面，所述刻蚀气体中包含有碳氟比例大于等于1∶2的气体。本发明可以提高填充的导电材料与通孔间介质层之间的密致程度，减少导电材料的填充孔洞，对应地，也减少了因孔洞产生的电子迁移失效的散点，提高双镶嵌结构的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102222639A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201010154726.2 | 申请日期 | 2010.04.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩宝东;张海洋;孙武 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层，对所述介质层进行刻蚀，形成露出衬底表面的通孔；对位于通孔间的介质层进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽用于连接相邻的通孔；对所述通孔间的介质层进行修复刻蚀，使其具有光滑的表面，所述刻蚀气体中包含有碳氟比例大于等于1∶2的气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||