高可靠功率混合集成电路的集成方法

摘要

本发明公开了高可靠功率混合集成电路的集成方法，该方法包括：(1)首先将原始厚膜基片通过超声清洗干净、并烘干；(2)在高真空磁控溅射台内在陶瓷基片的背面用高真空溅射方法一次性形成Cu-Ni-Cr-Au多层复合薄膜；(3)在以上基础上，有选择性地再溅射一层Cu-Ni-Cr-Au复合薄膜，使其在选定的区域形成多层金属薄膜沟状网；(4)之后在高温下进行退火，得到厚膜基片；(5)将厚膜基片组装到管壳底座上，再组装半导体芯片和其他分立元器件，用硅-铝丝键合完成电路连接，封帽，即制成高可靠功率混合集成电路。采用本方法的集成电路具有很好的焊接系统致密性、附着力、热传导性，散热快速，保证电路的可靠性。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

主权项

一种高可靠功率混合集成电路的集成方法，其特征包括：(1)首先，按照常规工艺将原始厚膜基片通过超声清洗干净、并烘干；(2)在高真空磁控溅射台内在陶瓷基片的背面用高真空溅射方法一次性形成Cu‑Ni·Cr‑Au多层复合薄膜；(3)在第一次多层复合薄膜的基础上，在高真空磁控溅射台中，有选择性地再溅射一层Cu‑Ni·Cr‑Au复合薄膜，使其在选定的区域形成多层金属薄膜沟状网；(4)之后进行退火，即可得到所需的厚膜基片；(5)按照常规工艺，将厚膜基片组装到清洗、烘干后的管壳底座上，再组装半导体芯片和其他分立元器件，并用硅‑铝丝键合以完成电路连接，最后，封帽，经测试合格，即制成高可靠功率混合集成电路。