| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；其中，所述衬底邻近所述缓冲层的一侧表面形成有多个凹槽，位于所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞。由于所述空洞的存在，可提高器件的内量子效率和外量子效率，增加了发光二极管的发光强度。 | ||
| 申请公布号 | CN102222745A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201110172425.7 | 申请日期 | 2011.06.23 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 张汝京;肖德元;程蒙召 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；其中，所述衬底邻近所述缓冲层的一侧表面形成有多个凹槽，位于所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区上海市临港产业区新元南路600号行政办公中心二楼 | ||