发明名称 |
存储元件以及半导体器件 |
摘要 |
存储元件以及半导体器件。本发明提供一种在两个电极之间具有有机化合物层的有机存储器。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层,其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间,且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构,导电层表面上电场的局部集中可被设置成与导电层相接触的半导体层所抑制。 |
申请公布号 |
CN102222765A |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN201110081481.X |
申请日期 |
2007.02.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
汤川干央;杉泽希 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L27/13(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种存储元件,包括:第一导电层;半导体层;有机化合物层;以及第二导电层,其中,所述半导体层和所述有机化合物层夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间,且其中,所述半导体层与所述第一导电层相接触。 |
地址 |
日本神奈川县 |