一种量子阱发光管外延片及其生长方法

摘要

本发明属于半导体技术类，具体是一种量子阱发光管外延片及其生长方法，其特征在于：外延片至少包括：一层n型GaAs衬底；一层n型掺杂的GaAs缓冲层，一层n型掺杂的AlGaAs下限制层，一层非掺杂或少量n型掺杂或部分厚度n型掺杂的AlGaAs下波导层，一个或多个非掺杂的AlGaInAs/AlGaAs量子阱结构，一层非掺杂或少量p型掺杂或部分厚度p型掺杂的AlGaAs上波导层，一层p型掺杂的AlGaAs上限制层，一层p型掺杂的GaAs欧姆接触层，外延片生长采用金属有机物化学汽相沉积方法制备。本发明外延片通过细微调整量子阱的厚度等条件来调整发光管的中心波长，将中心波长调节在800nm附近，产品可靠性好。

主权项

一种量子阱发光管外延片，其特征在于，它至少包括：一层n型掺杂GaAs衬底；一层n型掺杂的GaAs缓冲层，位于衬底之上；一层n型掺杂的AlGaAs下限制层，位于缓冲层之上；一层非掺杂或少量n型掺杂或部分厚度n型掺杂的AlGaAs下波导层，位于下限制层之上；一个或多个非掺杂的AlGaInAs/AlGaAs量子阱结构，位于下波导层之上；一层非掺杂或少量p型掺杂或部分厚度p型掺杂的AlGaAs上波导层，位于量子阱结构之上；一层p型掺杂的AlGaAs上限制层，位于上波导层之上；一层p型掺杂的GaAs欧姆接触层，位于上限制层之上。