发明名称 |
VLS过程中压强控制合成一维无机纳米锥状结构材料的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备一维无机纳米锥状结构材料的方法。该方法包括如下步骤:1)将前驱物和金属催化剂混合后置于容器中,并将其放入真空管式炉的高温区,将衬底置于低温区,使炉腔内呈无氧状态,然后通入非氧化性保护气体使所述炉腔内的压强不高于1x104Pa,密封真空管式炉;所述高温区的温度为1300-1400℃,所述低温区的温度为1100-800℃;2)开启加热装置,以10-20℃/分钟的升温速率,将真空管式炉的高温区加热至1300-1400℃并维持30-300分钟,停止加热,冷却至室温,然后向炉腔内通入非氧化性气体至一个大气压,打开炉腔,在衬底上得到了一维无机纳米锥状结构材料。本发明的方法简单,设备廉价;该方法通过控制VLS过程中催化剂金属液滴合成了直径可变的一维硅基纳米结构,适用于多种无机材料的锥状结构生长。 |
申请公布号 |
CN102219180A |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN201010148650.2 |
申请日期 |
2010.04.14 |
申请人 |
中国科学院理化技术研究所 |
发明人 |
张晓宏;王辉;王建涛;欧雪梅 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种制备一维无机纳米锥状结构材料的方法,包括如下步骤:1)将制备所述一维无机纳米锥状结构材料的前驱物和金属催化剂混合后置于容器中,并将其放入真空管式炉的高温区,将衬底置于所述真空管式炉的低温区,使所述真空管式炉的炉腔内呈无氧状态,然后通入非氧化性保护气体使所述炉腔内的压强不高于1x104Pa,密封所述真空管式炉;所述高温区的温度为1300‑1400℃,所述低温区的温度为1100‑800℃;2)开启加热装置,以10℃/分钟‑20℃/分钟的升温速率,将所述真空管式炉的高温区加热至1300‑1400℃,维持所述温度30分钟‑300分钟,停止加热,冷却至室温,然后向所述炉腔内通入非氧化性气体至一个大气压,打开炉腔,在所述衬底上得到了一维无机纳米锥状结构材料。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条2号 |