| 发明名称 | 集成于半导体芯片中的天线 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种天线结构，其集成于半导体芯片中。所述天线结构通过以下中的至少一者而形成：a)一个或一个以上穿硅通孔(through-silicon via，TSV)；以及b)一个或一个以上裂缝终止结构。在某些实施例中，所述天线结构包括由所述TSV形成的天线元件。所述天线结构可进一步包括由所述裂缝终止结构形成的定向元件。在某些其它实施例中，所述天线结构包括由所述裂缝终止结构形成的天线元件，且所述天线结构可进一步包括由所述TSV形成的定向元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102224590A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN200980146516.4 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 阿尔温德·钱德拉舍卡朗;肯尼斯·卡斯考恩;顾时群 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种实施于集成电路中的集成式天线结构，所述集成式天线结构包含：半导体制造结构。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||