| 发明名称 | 薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管以及电子装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种在不损坏有机半导体图案的情况下通过容易且适合于增大面积的工艺制造具有抑制了劣化的顶部接触结构的薄膜晶体管的方法。在基板(1)上形成有机半导体图案(7a)。在所述基板(1)上形成电极材料膜(13)以覆盖所述有机半导体图案(7a)。在所述电极材料膜(13)上形成抗蚀剂图案(15)。使用所述抗蚀剂图案(15)作为掩模，通过湿法蚀刻对所述电极材料膜(13)进行构图。通过该工艺，形成源极(13s)和漏极(13d)。 | ||
| 申请公布号 | CN102224580A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN200980146210.9 | 申请日期 | 2009.11.24 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 胜原真央;米屋伸英 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张荣海 |
| 主权项 | 一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在基板上形成有机半导体图案；在所述基板上形成电极材料膜以覆盖所述有机半导体图案；以及在所述电极材料膜上形成抗蚀剂图案，并使用所述抗蚀剂图案作为掩模，通过湿法蚀刻对所述电极材料膜进行构图来形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||