发明名称 Interconnect structure
摘要 <p>Propojovací struktura, obsahující vrstvu (1) medi a vrstvu (7) vymezující pripojovací plošku, obsahuje dále bariérovou vrstvu (10) a vrstvu (9) AlCu. Vrstva (9) AlCu a bariérová vrstva (10) jsou umístené mezi vrstvou (1) medi a vrstvou (7) vymezující pripojovací plošku. Bariérová vrstva (10) je umístena mezi vrstvou (1) medi a vrstvou (9) AlCu, zajištující robustní propojení vrstvy (1) medi a vrstvy (7) vymezující pripojovací plošku. Ve výhodném provedení vrstva (9) AlCu obsahuje 96 až 99,5 % atom. hliníku Al, resp. 4 až 0,5 % atom. medi Cu a její tlouštka je 0,5 až 1,2 .mi.m. Bariérová vrstva (10) muže být provedena z titanu Ti, nitridu titanu TiN, tantalu Ta, nitridu tantalu TaN nebo z jejich slitin nebo kombinací. Bariérová vrstva (10) ve výhodném provedení sestává z kombinace jednotlivých vrstev uvedené tlouštky: vrstva nitridu titanu TaN 50 až 1000 A, vrstva titanu Ti 200 až 700 A a vrstva nitridu tantalu TiN 200 až 700 A.</p>
申请公布号 CZ302748(B6) 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CZ20010004145 申请日期 2000.05.15
申请人 INVENSAS CORPORATION 发明人 EDELSTEIN DANIEL;MCGAHAY VINCENT;NYE HENRY;OTTEY BRIAN;PRICE WILLIAM
分类号 H01L23/485;H01L23/52;H01L21/3205;H01L21/60;H01L23/532 主分类号 H01L23/485
代理机构 代理人
主权项
地址