| 发明名称 | 检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置，其中，所述方法包括：基于斜坡电压测试和时间相关介质击穿测试的介质层击穿过程，确定介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系；利用斜坡电压测试，测试一组样品的介质层的斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn；利用韦伯分布对所述斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn进行拟合；基于所述拟合结果，确定与预定斜坡电压击穿累积失效率对应的斜坡击穿电压；利用所述介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系，将所述确定的斜坡击穿电压转换为时间相关介质击穿时间。本发明可以快速的进行半导体器件介质层可靠性评估。 | ||
| 申请公布号 | CN102221668A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201010154824.6 | 申请日期 | 2010.04.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 简维廷;赵永;韩坤 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 1.一种检测半导体器件介质层可靠性的方法，其特征在于，包括：基于斜坡电压测试和时间相关介质击穿测试的介质层击穿过程，确定介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系；利用斜坡电压测试，测试一组样品的介质层的斜坡击穿电压V<sub>bd1</sub>，V<sub>bd2</sub>……V<sub>bdn</sub>；利用韦伯分布<img file="FSA00000076969000011.GIF" wi="562" he="167" />对所述斜坡击穿电压V<sub>bd1</sub>，V<sub>bd2</sub>……V<sub>bdn</sub>进行拟合，其中，α<sub>V</sub>为斜坡电压测试中韦伯分布的尺度因子，β<sub>V</sub>为斜坡电压测试中韦伯分布的形状因子，F(V<sub>bd</sub>)为斜坡电压击穿累积失效率；基于所述拟合结果，确定与预定斜坡电压击穿累积失效率对应的斜坡击穿电压；利用所述介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系，将所述确定的斜坡击穿电压转换为时间相关介质击穿时间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||