一种肖特基芯片的生产工艺及生产工艺所用腐蚀液

摘要

本发明公开了一种肖特基芯片的生产工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化，形成氧化层；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻，去除沟间隔的氧化层；二次腐蚀；正面溅射金属Pt、Ni；蒸发正面接触金属Ti、Ni、Ag；光刻金属；背面减薄；蒸发背面接触金属Ti、Ni、Ag，得成品。本发明还公开了一种肖特基芯片的生产工艺所用的腐蚀液，其组份为：HF、HAC、H2O2、HNO3。采用本发明加工肖特基芯片，可实现深度为1.0微米、精度为±0.15微米的光滑沟槽，并使硅的表面积约扩大20%以上，所以同样的芯片面积，采用本发明工作效率提高接近20%，为肖特基芯片的批量生产打下了坚实基础。

主权项

一种肖特基芯片的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）提供一原始外延硅片；（2）对原始外延硅片进行氧化，形成氧化层；（3）一次光刻；（4）P环扩散；（5）二次光刻沟槽；（6）一次腐蚀；（7）三次光刻，去除沟间隔的氧化层；（8）二次腐蚀；（9）正面溅射金属Pt、Ni；（10）蒸发正面接触金属Ti、Ni、Ag；（11）光刻金属；（12）背面减薄；（13）蒸发背面接触金属Ti、Ni、Ag，得成品。