发明名称 |
异质掩埋激光器的制作方法 |
摘要 |
一种异质掩埋激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长有源层,作为激光器件的发射区;步骤2:在有源层的表面生长SiO2层,在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用;步骤3:光刻,在SiO2层表面的两侧,将SiO2层和有源层刻蚀掉,使中间形成微米级脊型台面,光刻后的有源层成为激光器件的发射区;步骤4:用MOCVD技术,在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层,使脊型台面上形成沟道;步骤5:去掉脊型台面表面上的SiO2层;步骤6:用MOCVD技术,在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层,完成器件的制作。 |
申请公布号 |
CN101888060B |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
申请号 |
CN201010196147.4 |
申请日期 |
2010.06.02 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王宝军;朱洪亮;赵玲娟;王圩;潘教青;陈娓兮;梁松;边静;安心;王伟 |
分类号 |
H01S5/227(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/227(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种异质掩埋激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长有源层,作为激光器件的发射区;步骤2:在有源层的表面生长SiO2层,在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用;步骤3:光刻,在SiO2层表面的两侧,将SiO2层和有源层刻蚀掉,使中间形成微米级脊型台面,光刻后的有源层成为激光器件的发射区;步骤4:用MOCVD技术,在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P‑InP结电流限制层和N‑InP结电流限制层,使脊型台面上形成沟道,所述本征InP层的厚度略高于所述脊型台面的顶部;步骤5:去掉脊型台面表面上的SiO2层;步骤6:用MOCVD技术,在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N‑InP结电流限制层的表面生长P‑InP电流注入层,完成器件的制作。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |