分栅式存储器制造方法以及分栅式存储器

摘要

本发明提供了一种分栅式存储器制造方法以及分栅式存储器。根据本发明的分栅式存储器制造方法包括：光刻步骤，用于定义浅沟槽隔离区域；浅沟槽隔离区域刻蚀步骤，其中降低了分栅式存储器的单元阵列的字线区域的浅沟槽隔离的高度；阻挡层去除步骤，用于去除未被光阻覆盖的区域上的阻挡层；浮栅多晶硅刻蚀步骤，用于对未被光阻覆盖的浮栅多晶硅进行刻蚀；以及浮栅和字线刻蚀步骤，用于刻蚀浮栅和字线。根据本发明的分栅式存储器制造方法所制造而成的分栅式存储器单元的浮栅顶端的高度降低，浮栅和字线之间的电容也就减小，而浮栅FG和选择线路之间的电容保持不变，因此电容耦合率也相应减小，这有助于提高编程的效率，也有助于降低擦除电压。

主权项

一种分栅式存储器制造方法，其特征在于包括：光刻步骤，用于定义浅沟槽隔离区域；浅沟槽隔离区域刻蚀步骤，其中降低了分栅式存储器的单元阵列的字线区域的浅沟槽隔离的高度；阻挡层去除步骤，用于去除未被光阻覆盖的区域上的阻挡层；浮栅多晶硅刻蚀步骤，用于对未被光阻覆盖的浮栅多晶硅进行刻蚀；以及浮栅和字线刻蚀步骤，用于刻蚀浮栅和字线。