发明名称 Apparatus of memory array using finfets
摘要 A memory cell includes a FinFET select device and a memory element. In some embodiments a memory cell has a contact element coupled between a surface of the fin and the memory element.
申请公布号 US8039904(B2) 申请公布日期 2011.10.18
申请号 US20100784526 申请日期 2010.05.21
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KAKOSCHKE RONALD;SCHRUEFER KLAUS
分类号 H01L0021/000021 主分类号 H01L0021/000021
代理机构 代理人
主权项
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