发明名称 |
Apparatus of memory array using finfets |
摘要 |
A memory cell includes a FinFET select device and a memory element. In some embodiments a memory cell has a contact element coupled between a surface of the fin and the memory element. |
申请公布号 |
US8039904(B2) |
申请公布日期 |
2011.10.18 |
申请号 |
US20100784526 |
申请日期 |
2010.05.21 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KAKOSCHKE RONALD;SCHRUEFER KLAUS |
分类号 |
H01L0021/000021 |
主分类号 |
H01L0021/000021 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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