| 摘要 |
<p>밀착성과 배리어성이 우수하고, 저항값이 낮은 배선막을 형성한다. 성막 대상물 (21) 이 배치된 진공조 (2) 에 산소 가스를 도입하고, 산소를 함유하는 진공 분위기 중에서, 구리를 주성분으로 하며, Mg 와 Al 과 Si 와 Be 와 Ca 와 Sr 과 Ba 와 Ra 와 Sc 와 Y 와 La 와 Ce 와 Pr 과 Nd 와 Pm 과 Sm 과 Eu 와 Gd 와 Tb 와 Dy 로 이루어지는 첨가 원소군에서 선택되는 적어도 1 종류의 첨가 원소가 함유된 스퍼터링 타겟 (11) 을 스퍼터링하여, 성막 대상물 (21) 의 표면에 제 1 금속막 (23) 을 성막한 후, 산소 가스의 도입을 정지한 상태에서 스퍼터링 타겟 (11) 을 스퍼터링하여, 제 1 금속막 (23) 의 표면에 제 2 금속막 (24) 을 형성한 후, 제 1, 제 2 금속막 (23, 24) 을 에칭하여 배선막을 형성한다.</p> |
