发明名称 APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING
摘要 <p>본 발명은 공정챔버의 세정 주기를 연장시켜 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 플라즈마 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로, 플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위한 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지수단; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 반응공간에 공정가스를 분사하는 가스 분사부재; 및 상기 가스 분사부재에 전기장을 형성하여 상기 박막이 상기 공정챔버에 형성되는 것을 방지하기 위한 바이어스 전원을 포함하여 구성되는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101073834(B1) 申请公布日期 2011.10.14
申请号 KR20090085469 申请日期 2009.09.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;H01L21/3065 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
地址