| 摘要 |
<p>본 발명은 게이트라인의 패턴밀집도에 따라 발생하는 식각바이어스 차이를 최소화할 수 있고, 게이트라인의 쓰러짐 현상을 방지할 수 있는 반도체소자의 게이트라인 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 게이트라인 제조 방법은 반도체 기판상에 게이트산화막과 게이트도전막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 게이트도전막 상에 하드마스크 실리콘질화막과 하드마스크 텅스테막을 순차적으로 형성하는 단계; 게이트라인마스크를 사용하여 상기 하드마스크 텅스텐막을 식각하는 단계; 상기 하드마스크 텅스텐막을 식각배리어로 상기 하드마스크 실리콘질화막을 식각하되, 상기 하드마스크 텅스텐막보다 작은 CD를 갖도록 식각하는 단계; 상기 하드마스크 실리콘질화막과 상기 하드마스크 텅스텐막이 제공하는 라인패턴 사이를 일부 매립하는 감광막을 형성하는 단계; 상기 하드마스크 텅스텐막을 제거하는 단계; 상기 감광막을 제거하는 단계; 및 상기 하드마스크 실리콘질화막을 식각배리어로 상기 게이트도전막을 식각하여 게이트전극을 형성함과 동시에 상기 하드마스크 실리콘질화막의 탑부분이 라운드 프로파일을 갖도록 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
