发明名称 MEASURING PATTERN STRUCTURE, ADJUSTMENT STRUCTURE, AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
摘要 <p>본 발명은 측정 패턴 구조체, 보정 구조체, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 방법은 기판을 마주보는 상부 전극에 접촉하여 기판을 마주보도록 배치되고 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하는 측정 패턴 구조체를 제공하는 단계, 상부 전극에 전력을 인가하여 형성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 단계, 기판의 공정 결과를 위치에 따라 조사하여 최적 공정 결과를 선택하는 단계, 최적 공정 결과에 대응하는 측정 패턴을 보정 구조체에 전사하는 단계, 및 보정 구조체를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101073384(B1) 申请公布日期 2011.10.13
申请号 KR20090019091 申请日期 2009.03.06
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;H01L21/66 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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