| 摘要 |
Verfahren für die In-Situ-Veraschung zur Entfernung von Fotoresist- und Ätzresten nach einem Ätzprozess, umfassend: Einführen eines Prozeßgases, enthaltend ein wasserstoffhaltiges Gas, in eine PlasmaProzeßkammer; Bilden eines Plasmas in der PlasmaProzeßkammer; Aussetzen eines Substrats dem Plasma gegenüber, wobei das Substrat sich oben auf einer Substrathalterung befindet; Durchführen eines ersten Veraschungsschritts durch Anlegen eines ersten Bias an die Substrathalterung; und Durchführen eines zweiten Veraschungsschritts durch Anlegen eines zweiten Bias an die Substrathalterung, wobei der zweite Bias höher ist als der erste Bias, wobei der Kammerdruck in der Prozeßkammer während des zweiten Veraschungsschritts weniger als 20 mTorr (2,66 Pa) beträgt.
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