存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及存储器件及其制造方法。该存储器件包括：存储层，每个存储单元的所述存储层均被隔离，所述存储层通过电阻值的变化存储信息；离子源层，其形成为使得每个存储单元的所述离子源层均被隔离，并形成为层叠在所述存储层上，所述离子源层包含Cu、Ag、Zn、Al和Zr中的至少一种元素以及Te、S和Se中的至少一种元素；绝缘层，其隔离每个存储单元的所述存储层和所述离子源层；及防扩散阻挡部，其设于每个存储单元的所述存储层和所述离子源层的周围以防止元素的扩散。根据本发明的存储器件即使在器件小型化时仍能够稳定操作。

主权项

一种存储器件，其包括：存储层，每个存储单元的所述存储层均被隔离，所述存储层通过电阻值的变化存储信息；离子源层，其形成为使得所述每个存储单元的所述离子源层均被隔离，并形成为层叠在所述存储层上，所述离子源层包含Cu、Ag、Zn、Al和Zr中的至少一种元素以及Te、S和Se中的至少一种元素；绝缘层，其隔离所述每个存储单元的所述存储层和所述离子源层；及防扩散阻挡部，其设于所述每个存储单元的所述存储层和所述离子源层的周围以防止元素的扩散。