发明名称 |
光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件 |
摘要 |
本发明披露一种光刻投射装置,包括可产生辐射投射光束的辐射系统,投射光束来自辐射源射出的辐射;用于支撑构图部件的支撑结构,当由投射光束辐射时提供带图案的投射光束;用于固定基底的基底台;以及投射系统,设置和安排为将构图部件的照射部分成像在基底的靶部上。辐射系统进一步包括离开光轴一段距离的孔径,从光源方向看位于孔径之后的反射器,以及位于孔径之后的低辐射强度区域内的结构。 |
申请公布号 |
CN1495528B |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN03132763.X |
申请日期 |
2003.08.13 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
L·P·巴克科;J·乔克斯;F·J·P·舒厄曼斯;H·M·维斯塞 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
用于反射光线电磁辐射的反射器装置(10),该反射器装置(10)包括至少一个第一反射器(21)和一个第二反射器(22),所述第一反射器(21)和第二反射器(22)绕光轴(O)对称设置,所述第一反射器(21)和第二反射器(22)中的每一个具有反射面(26,27)和背面(24,25),在该反射器装置(10)中,与所述第一反射器(21)和第二反射器(22)相交并垂直于光轴(O)的虚线(L),与所述第一反射器(21)在距离光轴(O)的第一距离(r1)处相交,与所述第二反射器(22)在距离光轴(O)的第二距离(r2)处相交,第一距离(r1)大于第二距离(r2),由光轴(O)上一点发射的一些光线被所述第二反射器(22)切断,并且由光轴(O)上的该点发射的其它光线在第一反射器(21)的反射面上反射,该光线确定所述第一反射器(21)和第二反射器(22)之间的高辐射强度区域(zh)和低辐射强度区域(z1),其特征在于在低强度区域(z1)位置处第二反射器(22)的背面(25)上存在着用于在所述第一反射器(21)和第二反射器(22)之间的空间供应流体的喷嘴。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |