用于半导体器件制造的掩模图形及形成掩模图形的方法以及制造精细地构图的半导体器件的方法

摘要

提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶-凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。

主权项

一种用于半导体器件制造的掩模，包括：形成在半导体衬底上的抗蚀剂图形；以及形成在抗蚀剂图形上的含硅的自安装分子层，其中所述自安装的分子层包括选自阳离子硅酸盐低聚物和阴离子硅酸盐低聚物中的至少一种低聚物的溶胶‑凝胶产品，所述阳离子硅酸盐低聚物是选自氨丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷和含氨基多面体低聚倍半硅氧烷中的至少一种化合物的水解产品，所述阴离子硅酸盐低聚物是四甲基铵硅酸盐。