发明名称 |
薄膜晶体管原板测试线及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管原板测试线,涉及TFT-LCD中TFT原板的测试线,为解决当前测试线易被击穿而提出,所采用的技术方案是:所述测试线包括有栅极层金属测试线、位于栅极层金属测试线上方且与所述栅极层金属测试线交叉的漏极层金属测试线,所述栅极层金属测试线、漏极层金属测试线与所述像素区域的栅线连接,与所述栅极层金属测试线交叉区域的漏极层金属测试线上形成有像素电极层测试线,在所述交叉区域,所述像素电极层测试线与漏极层金属测试线互为冗余测试线。本发明同时公开了一种前述测试线的制作方法。本发明降低了对基板阵列电学测试的影响,保证了产品生产效率。 |
申请公布号 |
CN101581839B |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200810106341.1 |
申请日期 |
2008.05.12 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
彭志龙 |
分类号 |
G02F1/13(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/13(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种薄膜晶体管原板测试线,所述测试线包括有栅极层金属测试线、位于栅极层金属测试线上方且与所述栅极层金属测试线交叉的漏极层金属测试线,所述栅极层金属测试线及漏极层金属测试线与所述像素区域的栅线连接,其特征在于,与所述栅极层金属测试线交叉区域的漏极层金属测试线上还形成有像素电极层测试线,在所述交叉区域,所述像素电极层测试线与漏极层金属测试线互为冗余测试线;所述像素电极层测试线与漏极层金属测试线之间形成有钝化层,所述像素电极层测试线的两端通过过孔与漏极层金属测试线的漏极层金属连接。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区西环中路8号 |