半导体元件的制作方法及半导体元件

摘要

本发明公开了一种半导体元件的制作方法及半导体元件，该半导体元件的制作方法，包括在基底的第一及第二区中分别形成第一及第二鳍状结构；在第一及第二鳍状结构上分别形成第一及第二栅极结构，其分别包括第一及第二多晶硅栅极；在基底上形成层间介电层；在层间介电层上进行化学机械研磨以露出第一及第二多晶硅栅极；形成保护层以保护第一多晶硅栅极；移除第二多晶硅栅极，因而形成第一沟槽；移除保护层；部分移除第一多晶硅栅极，因而形成第二沟槽；形成功函数金属层，部分填充第一及第二沟槽；形成填充金属层，填充第一及第二沟槽的余留的部分；及移除位于第一及第二沟槽外的金属层。本发明提出的半导体元件具有较高的金属栅极应力敏感度。

主权项

一种半导体元件的制作方法，包括：在一基底的第一区及第二区中分别形成第一及第二鳍状结构；在该第一及第二鳍状结构上分别形成第一及第二栅极结构，该第一及第二栅极结构分别包括第一及第二多晶硅栅极；在该基底上形成一层间介电层；在该层间介电层上进行一化学机械研磨以露出该第一及第二多晶硅栅极；形成一保护层以保护该第一栅极结构的该第一多晶硅栅极；移除该第二栅极结构的该第二多晶硅栅极，因而形成一第一沟槽；移除该保护层；部分移除该第一栅极结构的该第一多晶硅栅极，因而形成一第二沟槽；形成一功函数金属层，部分填充该第一沟槽及该第二沟槽；形成一填充金属层，填充该第一沟槽的余留的部分及该第二沟槽的余留的部分；以及移除位于该第一沟槽及该第二沟槽外的该功函数金属层及该填充金属层。