发明名称 |
降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解的方法 |
摘要 |
一种用于工件的等离子体浸没式离子注入方法,该工件在其顶表面具有光刻胶掩模,该方法用以防止由该光刻胶碳化引起的光刻胶失效。该方法包括执行连续离子注入子步骤,每一个所述离子注入子步骤都具有一段持续时间,在该段持续时间期间,仅该光刻胶层的部分顶部分受到离子注入损害。在每一个所述连续离子注入子步骤之后,通过执行灰化子步骤除去该光刻胶的该部分顶部分,并且同时将该光刻胶层剩余部分留在原位置。该连续离子注入子步骤的数目足以达到该工件中的预设离子注入剂量。 |
申请公布号 |
CN102217039A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200980145214.5 |
申请日期 |
2009.11.17 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
马丁·A·希尔金;卡提克·桑瑟南姆;延·B·塔;彼得·I·波尔什涅夫;马耶德·A·福阿德 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种用于工件的等离子体浸没式离子注入方法,该工件在其顶表面上具有光刻胶层,该方法包含以下步骤:执行数个连续离子注入子步骤,每一个所述离子注入子步骤都具有一段持续时间,在该段持续时间期间,通过移除氢所造成的转变通常限于该光刻胶层的顶部分;在每一个所述连续离子注入子步骤之后,通过执行灰化子步骤而移除所述顶部分,并且同时将所述光刻胶层的剩余部分留在原位置;其中所述连续离子注入子步骤的数目足以达到所述工件的区域中的预设离子注入剂量。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |