在有机半导体器件内偏心沉积有机半导体

摘要

本发明提供了一种制备诸如晶体管之类薄膜半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供具有第一导电区和第二导电区(10，20)的基材(60)，其中所述第一导电区和所述第二导电区限定了两者间的沟道(50)，并且其中所述沟道(50)不与大于75％的任一导电区(10，20)的周边；以及b)在所述沟道(50)附近或上面沉积包含有机半导体的溶液(40)的不连续等分试样，其中大部分所述溶液沉积在所述沟道(50)一侧且不在所述沟道(50)上。在本发明的一些实施例中，所述溶液完全沉积到所述沟道(50)的一侧，并且不在所述沟道(50)上，此外，所述溶液沉积到具有小于所述沟道长度的长度的带内。本发明另外提供了诸如晶体管之类的薄膜半导体器件。

主权项

一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：a)提供具有第一导电区和第二导电区的基材，其中所述第一导电区和所述第二导电区限定了两者间的沟道，并且其中所述沟道不与大于75％的任一导电区的周边交界；以及b)在所述沟道附近或上面沉积包含有机半导体的溶液的不连续等分试样，其中所述等分试样将有机半导体提供给单个薄膜半导体器件，其中大部分所述溶液沉积到所述沟道一侧且不在所述沟道上。