发明名称 |
具有减小的触发电压的堆叠式静电放电保护电路 |
摘要 |
本发明提供一种堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管(GCNFET)静电放电(ESD)保护电路,其涉及含若干个级的堆叠。每一级具有一NFET,所述NFET的主体耦合到其源极。电阻器耦合在栅极与源极之间。提供从电源电压节点到每一NFET的所述栅极的电流路径,使得在ESD事件期间,电流将流过所述级的所述电阻器并引起触发。在一个实施例中,通过另一级与所述电源电压节点隔离的NFET级具有相关联的电容结构。在所述ESD事件的瞬态电压条件期间,电流从所述电源电压节点流经所述电容结构并到达所述栅极,且接着流经所述电阻器,从而起始触发。所述GCNFET ESD保护电路具有比其保持电压高不到百分之二十的触发电压。 |
申请公布号 |
CN102214655A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110130623.7 |
申请日期 |
2008.04.14 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
尤金·沃利 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种方法,其包含:提供堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管静电放电保护电路,其中所述堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管静电放电保护电路具有触发电压和保持电压,其中所述触发电压比所述保持电压高不到百分之二十,且其中所述保持电压大于十五伏。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |