发明名称 |
外延基板及液相外延生长方法 |
摘要 |
本发明提供一种外延基板,是通过液相外延生长方法在基板上层积外延层而成的外延基板,其层积在上述基板上的外延层中的碳浓度轮廓,与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50%的浓度轮廓交叉。由此,可以提供一种外延基板及液相外延生长方法,该外延基板具有被调整后的任意的碳浓度轮廓,而不是通过治具的自动掺杂所产生的固定的碳浓度轮廓。 |
申请公布号 |
CN101118940B |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200710139910.8 |
申请日期 |
2007.08.03 |
申请人 |
信越半导体股份有限公司 |
发明人 |
樋口晋;川崎真 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;C30B29/00(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;C30B31/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
高龙鑫 |
主权项 |
一种外延基板,是通过液相外延生长方法在基板上层积外延层而成的外延基板,其特征在于:层积在上述基板上的外延层中的碳浓度轮廓,与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50%的浓度轮廓交叉。 |
地址 |
日本东京都 |