发明名称 |
基于P型硅片的背接触异质结太阳电池 |
摘要 |
本发明涉及一种太阳电池,具体涉及一种基于P型硅片的背接触异质结太阳电池。从背面特征分为N型区域和P型区域,N型区域形成P+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si/i-a-si/N-a-si异质结结构,P型区域形成P+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si异质结结构,具有更好的光谱响应,太阳光在电池内传播光程更长,电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄;电极全部印刷在电池背面,即避免了常规太阳电池正面电极遮光的问题,提高了太阳电池短路电流,进而大大提高太阳电池的转化效率,低温烧结工艺大大简化生产工艺、降低生产成本,适用于产业化生产。 |
申请公布号 |
CN102214720A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110155026.X |
申请日期 |
2011.06.10 |
申请人 |
山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
发明人 |
张黎明;李玉花;刘鹏;姜言森;杨青天;高岩;徐振华;张春艳;王兆光;程亮;任现坤 |
分类号 |
H01L31/072(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/072(2006.01)I |
代理机构 |
济南舜源专利事务所有限公司 37205 |
代理人 |
宋玉霞 |
主权项 |
一种基于P型硅片的背接触式异质结太阳电池,从背面特征分为N型区域和P型区域,其特征在于:P型区域包括由上到下依次叠层结合的受光面减反射膜、P+ a‑Si P+非晶硅薄膜、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、P‑C‑Si P型晶体硅、P+ c‑Si P+晶硅层、透明导电薄膜TCO和背电极,形成P+ a‑si/ i‑ a‑si/P‑c‑si/P+c‑si异质结结构,N型区域包括由上到下依次叠层结合的受光面减反射膜、P+ a‑Si P+非晶硅薄膜、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、P‑C‑Si P型晶体硅、P+ c‑Si P+晶硅层、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、N‑a‑Si非晶硅薄膜、透明导电薄膜TCO和背电极,形成P+ a‑si/ i‑ a‑si/P‑c‑si/P+c‑si/i‑a‑si/N‑a‑si异质结结构。 |
地址 |
250103 山东省济南市历城区经十东路30766号力诺科技园 |