| 发明名称 | 半导体光刻工艺 | ||
| 摘要 | 一种半导体光刻工艺包含：提供基材；于基材上形成光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；将光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；于烘烤之后，对光致抗蚀剂层进行显影工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102213914A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201010227584.8 | 申请日期 | 2010.07.12 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄沛霖;黄浚彦;王逸铭 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种半导体光刻工艺，包含：提供基材；于该基材上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；将该光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；以及对该光致抗蚀剂层进行显影工艺。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||