发明名称 |
非易失性存储装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明为了提供易于适用于片上系统的非易失性存储装置而提供一种基于逻辑工艺可容易地实现的非易失性存储装置及其制造方法,尤其提供一种包括由具有浮置栅极的晶体管和连接于所述浮置栅极的电容器构成的单位单元的非易失性存储装置,该浮置栅极形成于具有隧道区和沟道区的衬底上,且同时横跨所述隧道区和所述沟道区。根据本发明,以一个晶体管和一个电容器结合的简单结构执行全部的编程操作、擦除操作、读操作和选择操作,因此具有可易于适用于片上系统,且由于基于逻辑工艺,因此可实现低成本工艺和高效率工艺的效果。 |
申请公布号 |
CN102214658A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110065448.8 |
申请日期 |
2011.03.14 |
申请人 |
美格纳半导体有限公司 |
发明人 |
车载汉 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;李娜娜 |
主权项 |
一种非易失性存储装置,其特征在于包括由具有浮置栅极的晶体管和连接于所述浮置栅极的电容器构成的单位单元,该浮置栅极形成于具有隧道区和沟道区的衬底上,且同时横跨所述隧道区和所述沟道区。 |
地址 |
韩国忠清北道清州市 |