发明名称 用于为开关电源变换器提供欠压保护的系统
摘要 本发明公开了一种为开关电源变换器提供欠压保护的系统。欠压保护系统包括电源电压采样网络、比较器、输出缓冲网络和反馈网络。电源电压采样网络由第一齐纳二极管、第二齐纳二极管及电阻分压网络组成,实现对电源电压的采样;比较器由第一晶体管和第一电阻构成,对采样电压和第一晶体管的阈值电压进行比较;输出缓冲器网络由第一反相器构成;反馈网络由第二晶体管构成。本发明确保芯片在上电启动过程中,系统能正常并稳定的工作,并且保证整个工作过程中电源电压的波动不会对整个电路和系统造成损害,提高系统的稳定性。
申请公布号 CN102214988A 申请公布日期 2011.10.12
申请号 CN201010141080.4 申请日期 2010.04.06
申请人 大连精拓光电有限公司 发明人 巴宇;赵宏伟;李拓
分类号 H02M1/32(2007.01)I 主分类号 H02M1/32(2007.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于为开关电源变换器提供欠压保护的系统,所述系统包括:电源电压采样网络、比较器、输出缓冲网络和反馈网络;其中:电源电压采样网络由第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第一电阻器、第二电阻器组成,实现对电源电压的采样;比较器由第一晶体管和第三电阻构成,对采样电压和第一晶体管的阈值电压进行比较;输出缓冲器网络由第二晶体管、第四电阻器及第一反相器构成,对比较器的输出信号进行缓冲和整形,提高电路的负载能力;反馈网络由第三晶体管构成,实现电路的迟滞功能;其中:第一齐纳二极管包括第一终端、第二终端;第二齐纳二极管包括第三终端、第四终端;第一电阻器包括第五终端、第六终端;第二电阻器包括第七终端、第八终端;第三电阻器包括第九终端、第十终端;第一晶体管为NMOS管,包括第一栅极、第一源极及第一漏极;第二晶体管为PMOS管,包括第二栅极、第二源极及第二漏极;第四电阻器包括第十一终端、第十二终端;第一反相器包括第十三终端、第十四终端;第三晶体管为PMOS管,包括第三栅极、第三源极及第三漏极。
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