Eingebettete-Heterostruktur-Gerät, welches mittels eines Einzelschritt-MOCVD fabriziert ist

摘要

Gerät, aufweisend: eine Wachstumsoberfläche (122); eine Wachstumsmaske (132) auf der Wachstumsoberfläche, wobei die Wachstumsmaske ein längliches Wachstumsfenster (134) definiert; eine optischer-Wellenleiter-Kernmesa (140), welche in dem Wachstumsfenster lokalisiert ist und eine trapezoide Querschnittsform hat; und eine Mantelschicht (160), welche die optischer-Wellenleiter-Kernmesa abdeckt und sich über zumindest einen Teil der Wachstumsmaske erstreckt.