用于制造具有导电通孔的硅载体的方法及其制造的半导体

摘要

提供了用于制造具有导电通孔的硅载体的方法其允许高产量制造低缺陷密度的硅载体。具体而言，提供了这样的方法，其对于小于10微米到大于300微米的垂直厚度能够制造具有例如1到10微米的直径的过孔直径的硅载体，其对于制造期间的热机械应力足够坚固以显著地最小化在过孔侧壁界面处的硅、绝缘体、衬里以及导体材料之间的热机械移动。

主权项

一种用于在半导体基板中制造导电过孔结构的方法，包括以下步骤：在半导体基板中形成过孔，其中所述过孔包括在所述半导体基板的第一表面上的开放端、具有在其上形成的绝缘层的内部侧壁表面、以及具有第一导电材料的封闭端，所述第一导电材料提供在所述过孔的所述封闭端的表面上形成的种子层；以及进行电镀敷工艺以使用第二导电材料填充所述过孔从而使用电镀敷工艺形成导电过孔，其中迫使镀敷电流仅流动通过所述过孔的所述封闭端的所述表面以便镀敷从所述过孔的所述封闭端的所述表面上的所述种子层开始并向所述过孔的所述开放端前进；以及将电接触形成到所述导电过孔的每一端。