Method of manufacturing a semiconductor device

摘要

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 고주파 소자가 형성될 반도체 기판 하부에 실리콘 산화막을 형성하고, 그 경계면의 반도체 기판에 소자 분리막을 형성하여 고주파 소자영역을 전기적/물리적으로 완전히 차단할 수 있으며, 실리콘 산화막과, 소자 분리막을 이용하여 차단된 고주파 소자 영역으로 인해 노이즈 발생과 소자간의 크로스 토크 발생을 방지할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.