| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体器件及其制造方法中，在衬底上形成硬掩模层，蚀刻所述硬掩模层和衬底的一部分以形成在侧壁具有突出部分的沟槽，和形成掩埋于沟槽中的绝缘层以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，其中所述器件隔离区减小有源区一部分的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN101645400B | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN200910005180.1 | 申请日期 | 2009.02.06 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵瑢泰;李海朾;金殷美;李京效 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成硬掩模层；蚀刻所述衬底和所述硬掩模层的一部分，以形成在侧壁具有突出部分的沟槽；和形成掩埋于所述沟槽的绝缘层，以形成在侧壁具有突出部分的器件隔离区，其中所述器件隔离区减小有源区的一部分宽度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||