| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化，制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上，且其电学性质优良。 | ||
| 申请公布号 | CN102214739A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201110136088.6 | 申请日期 | 2011.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李志聪;姚然;王兵;梁萌;李璟;王国宏;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法，其特征在于，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||