发明名称 |
无图案化地形成硅太阳能电池之前触点的方法 |
摘要 |
一种用于在硅太阳能电池上形成前触点的方法,包括:纹路蚀刻太阳能电池的前表面,在所述表面上形成抗反射层,将掺杂材料扩散到所述表面中以在所述表面的纹路蚀刻期间形成的谷中形成重掺杂区,在所述谷中的所述重掺杂区上沉积导电材料并使所述太阳能电池退火。 |
申请公布号 |
CN102217085A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200980145655.5 |
申请日期 |
2009.11.12 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
P·伯登;J·杜科维克;L·徐 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/05(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
一种用于在晶体太阳能电池的表面上无图案化地形成导电通路的方法,包括:使基板的表面纹路化以形成具有峰和谷的多个金字塔形类型的结构;在所述表面上形成抗反射层,其中在所形成的谷中的所述表面的至少一部分没有被所形成的抗反射层覆盖;将掺杂材料形成并扩散到没有被所形成的抗反射层覆盖的所述基板的所述表面的所述至少一部分中;将导电材料沉积在没有被所形成的抗反射层覆盖的所述基板的所述表面的所述至少一部分上;和加热所述基板到所希望的温度。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |