| 发明名称 |
高性能氧化钇氮化硅陶瓷的生产方法 |
| 摘要 |
本发明是在氮化硅的生产工艺的基础上添加一种添加剂氧化钇(Y2O3)，来制取具有更好性能的无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其特征所涉及的无压烧结生产高性能氮化硅，组分及质量百分比含量为：氧化钇5%～9％，氮化硅91％～95％。氮化硅陶瓷作为一种重要的结构陶瓷材料，具有高强度、高硬度、抗热震、抗蠕变、耐腐蚀等一系列优良性能，被广泛用于切削工具等。而其特有的质轻、热膨胀系数低等特性使其优于其它结构陶瓷材料成为轴承钢重要的替代材料，可用作陶瓷轴承材料。 |
| 申请公布号 |
CN102211940A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
| 申请号 |
CN201010145012.5 |
申请日期 |
2010.04.12 |
| 申请人 |
沈斌斌 |
发明人 |
沈斌斌 |
| 分类号 |
C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种高性能氧化钇氮化硅陶瓷的生产方法。本发明所涉及的氧化钇作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化钇5～9％，氮化硅91％～95％；所述的氧化钇粒度3～5微米，氮化硅粒度0.4～0.9微米。 |
| 地址 |
201700 上海市青浦区沪青平公路5599弄94号1102室 |
