发明名称 发光元件
摘要 本发明公开一种发光元件,其包含:发光叠层,包含第一电性半导体层,第一电性半导体层具有第一部分与第二部分;发光层形成于第一电性半导体叠层之上;及第二电性半导体层形成于发光层之上,第二电性半导体层的上表面为一粗化表面,且具有第一部分与第二部分;第一平坦层形成于第二电性半导体层上表面的第一部分上;第一氧化物透明导电层形成于第一平坦层与第二电性半导体层的上表面的第二部分之上,第一氧化物透明导电层包含接触第一平坦层的第一部分及接触第二电性半导体层的第二部分,第一氧化物透明导电层的第二部分包含第一孔穴群及第一电极形成于第一氧化物透明导电层的第一部分之上。
申请公布号 CN102214755A 申请公布日期 2011.10.12
申请号 CN201110084302.8 申请日期 2011.04.02
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 徐子杰;陶青山;欧震;谢明勋;陈昭兴
分类号 H01L33/20(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/20(2010.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一发光元件包含:发光叠层,包含第一电性半导体层,其中该第一电性半导体层具有第一部分与第二部分;发光层形成于该第一电性半导体叠层之上;及第二电性半导体层形成于该发光层之上,其中该第二电性半导体层之上表面为一粗化表面,且具有第一部分与第二部分;第一平坦层,形成于该第二电性半导体层上表面的第一部分上;第一氧化物透明导电层,形成于该第一平坦层与该第二电性半导体层的上表面的第二部分之上,其中该第一氧化物透明导电层包含接触该第一平坦层的第一部分及接触该第二电性半导体层的第二部分,其中该第一氧化物透明导电层的第二部分包含第一孔穴群,以及第一电极,形成于该第一氧化物透明导电层的第一部分之上。
地址 中国台湾新竹市