超级结半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结半导体器件的制造方法，包括步骤：在N型硅外延层上生长一介质膜，利用光刻和刻蚀工艺形成沟槽；在沟槽侧壁淀积一含碳硅层；在沟槽中淀积一P型半导体薄层填满所述沟槽；将N型外延层表面的P型半导体薄层、含碳硅层以及介质膜去除。本发明公开了另一种超级结半导体器件的制造方法，和第一种方法不同的是步骤二为在沟槽侧壁通过扩散形成一碳薄层。本发明还公开了一种超级结半导体器件。本发明能抑制超级结半导体器件中的P型半导体薄层的P型杂质在后续热过程中扩散到N型半导体薄层中，减少N型半导体薄层被补偿的N型载流子数，从而减少器件的比抵抗电阻，提高器件的性能。

主权项

一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述超级结半导体器件的交替型P型半导体薄层和N型半导体薄层时包括如下步骤：步骤一、在一N+硅基片上生长一层N型硅外延层，在所述N型硅外延层上生长一介质膜，利用光刻和刻蚀工艺形成沟槽；步骤二、在所述沟槽侧壁淀积一层含碳硅层；步骤三、在所述沟槽中淀积一P型半导体薄层填满所述沟槽，所述P型半导体薄层能为一P型硅层、或一P型硅层加一介质层、或一P型硅层加一不掺杂硅层；步骤四、利用回刻或化学机械研磨将所述N型外延层表面的所述P型半导体薄层、所述含碳硅层以及所述介质膜去除。