发明名称 |
包括主器件的堆叠的半导体器件 |
摘要 |
本发明公开了一种包括堆和多个电通路的系统。该堆包括第一非易失性存储芯片和第二非易失性存储芯片,该第二非易失性存储芯片缺少至少一些非核心电路。多个电通路在该第一非易失性芯片和该第二非易失性存储芯片之间延伸,该电通路有助于使该第一非易失性存储芯片向该第二非易失性存储芯片提供器件操作所需的信号和电压。 |
申请公布号 |
CN102216997A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201080003026.1 |
申请日期 |
2010.02.12 |
申请人 |
莫塞德技术公司 |
发明人 |
金镇祺 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C5/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种系统,包括:堆,其包括:第一非易失性存储芯片;以及第二非易失性存储芯片,该第二非易失性存储芯片缺少至少一些非核心电路,以有助于减小芯片尺寸;以及多个电通路,在该第一非易失性存储芯片和该第二非易失性存储芯片之间延伸,该电通路有助于该第一非易失性存储芯片向该第二非易失性存储芯片提供器件操作所需的信号和电压。 |
地址 |
加拿大安大略省 |