| 发明名称 | SiC衬底的减薄方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根据本发明提供的SiC衬底的减薄方法，可以有效缩短SiC衬底的减薄时间，提高工作效率，减少减薄时间。另外，由于整个衬底减薄过程中没有机械剪切力，器件的性能不会有明显的降低。 | ||
| 申请公布号 | CN102214568A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201110146097.3 | 申请日期 | 2011.06.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 魏珂;黄俊;刘果果;李诚瞻;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种SiC衬底的减薄方法，其特征在于，包括：匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaN HEMT 器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||