等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置，在向上部电极施加300W以上1000W以下的频率比第一频率电力低的第二高频电力后，保持1～3秒的时间差，施加第一频率电力，先由第二高频电力生成鞘层，而使得即使施加第一高频电力，也可以阻止等离子体进入喷淋头的气体孔中，从而抑制电弧放电。其特征在于：在等离子体处理装置(10)中，在处理室(12)内相对设置上部电极(13)和下部电极(14)，先向上部电极(13)施加来自第二高频电源的频率比第一频率电力低的第二高频电力，然后，保持1～3秒的时间差，重叠施加第一高频电力。

主权项

一种等离子体处理方法，其特征在于：是在处理室内相对设置有第一电极和第二电极，通过第一匹配电路和第二匹配电路向所述第一电极施加来自高频电源的第一高频电力和来自频率比该第一高频电力低的高频电源的第二高频电力，并且使第二电极接地，对承载在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理的方法，其中，先向所述第一电极施加所述第二高频电力，然后，在将所述第二高频电力施加到所述第一电极的状态下，向所述第一电极施加所述第一高频电力，重叠的时间差为1秒～3秒。