用于LTCC电路和器件的厚膜导电组合物

摘要

本发明涉及一种用于低温共焙烧陶瓷电路的厚膜组合物，以总厚膜组合物的重量百分数表示，它包含：(a)30-98重量％细粉碎的颗粒，选自贵金属、贵金属合金以及它们的混合物；(b)一种或多种选择的无机粘合剂和/或它们的混合物；分散在(c)有机介质中；其中，所述玻璃组合物在焙烧条件下与低温共焙烧的陶瓷基材玻璃中残余的玻璃不混溶或部分混溶。本发明还涉及使用上述组合物来形成多层电路的方法，以及组合物在高频用途(包括微波用途)中的用途。

主权项

一种厚膜组合物，其用于低温共焙烧陶瓷电路，以占总厚膜组合物的重量百分比为基准计，它包含分散在有机介质中的：(a)30‑98重量％细粉碎的颗粒，其选自贵金属、贵金属合金以及它们的混合物；(b)一种或多种无机粘合剂，其选自：(1)0.2‑20重量％的一种或多种难熔玻璃组合物，所述难熔玻璃组合物在所述电路的焙烧温度具有6‑7.6范围的特性粘度log n，以总玻璃组合物的重量百分数计，所述难熔玻璃组合物包含25‑60％SiO2、10‑20％Al2O3、10‑15％B2O3、5‑25％CaO、1‑5％余量的其它网络改性离子，所述难熔玻璃组合物中各组分的总量为100％；(2)0.1‑5重量％的另一种选自以下的无机粘合剂：(i)金属氧化物，所述金属氧化物选自Zn的氧化物、Mg的氧化物、Co的氧化物、Al的氧化物、Zr的氧化物、Mn的氧化物、Ni的氧化物、Cu的氧化物、Ta的氧化物、W的氧化物、La的氧化物和它们的混合物，(ii)金属氧化物前体，所述金属氧化物前体选自Zn的氧化物前体、Mg的氧化物前体、Co的氧化物前体、Al的氧化物前体、Zr的氧化物前体、Mn的氧化物前体、Ni的氧化物前体、Cu的氧化物前体、Ta的氧化物前体、W的氧化物前体、La的氧化物前体和它们的混合物，(iii)非氧化物的硼化物，(iv)非氧化物的硅化物，和(v)它们的混合物；(3)上述组分的混合物；其中，所述玻璃组合物在焙烧条件下与低温共焙烧的陶瓷基材玻璃中残余的玻璃不混溶或部分混溶。