用于蚀刻半导体结构的具有脉冲样品偏压的脉冲等离子体系统

摘要

本发明描述一种用于蚀刻半导体结构的具有脉冲样品偏压的脉冲等离子体系统。在一实施例中，利用一脉冲等离子体处理而移除一部分的样品，其中该脉冲等离子体处理包括多个工作周期。在各个工作周期的开启状态过程中，施加负偏压至样品，而在各个工作周期的关闭状态过程中，施加零偏压至样品。在另一实施例中，通过应用连续等离子体处理以移除样品的第一部分，接着连续等离子体处理停止，并通过应用一脉冲等离子体处理以移除样品的第二部分。

主权项

一种用于蚀刻一样品的方法，包括：通过应用一脉冲等离子体处理而移除该样品的一部分，其中，该脉冲等离子体处理包括多个工作周期(duty cycle)，其中各个该些工作周期代表一等离子体的一开启(ON)状态及一关闭(OFF)状态的组合，其中在该开启状态的持续时间足够短以实质抑制邻近该样品的一反应区域中的微负载(micro‑loading)，且其中该关闭状态的持续时间足够长以实质使得一组蚀刻副产物能够自邻近该样品的该反应区域中移除。