发明名称 |
相可变存储器件及其读取方法 |
摘要 |
公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后,将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较,并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷,从而确保在读出期间足够的读出裕度。 |
申请公布号 |
CN1975927B |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200610163200.4 |
申请日期 |
2006.11.29 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
赵佑荣;崔炳吉;金杜应;吴泂录;赵柏衡;鲁有桓 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
刘晓峰 |
主权项 |
一种相可变存储器件,包括:存储单元,与位线相连;高电压电路,适合于根据外部提供的电源电压产生高电压,其中,所述高电压比所述电源电压高;预充电电路,与位线相连并接收所述电源电压和高电压,该预充电电路适合于将位线充电到所述电源电压,以及进一步地将位线充电到所述高电压;偏置电路,与位线相连并接收所述高电压,该偏置电路适合于通过使用所述高电压向位线提供读取电流;以及读出放大器,与位线相连并接收所述高电压,该读出放大器适合于通过使用所述高电压检测位线的电压电平。 |
地址 |
韩国京畿道 |