发明名称 相可变存储器件及其读取方法
摘要 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后,将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较,并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷,从而确保在读出期间足够的读出裕度。
申请公布号 CN1975927B 申请公布日期 2011.10.12
申请号 CN200610163200.4 申请日期 2006.11.29
申请人 三星电子株式会社 发明人 赵佑荣;崔炳吉;金杜应;吴泂录;赵柏衡;鲁有桓
分类号 G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 刘晓峰
主权项 一种相可变存储器件,包括:存储单元,与位线相连;高电压电路,适合于根据外部提供的电源电压产生高电压,其中,所述高电压比所述电源电压高;预充电电路,与位线相连并接收所述电源电压和高电压,该预充电电路适合于将位线充电到所述电源电压,以及进一步地将位线充电到所述高电压;偏置电路,与位线相连并接收所述高电压,该偏置电路适合于通过使用所述高电压向位线提供读取电流;以及读出放大器,与位线相连并接收所述高电压,该读出放大器适合于通过使用所述高电压检测位线的电压电平。
地址 韩国京畿道