发明名称 | 利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及多孔硅材料制备领域,具体地,本发明涉及利用硅与卤代烃反应进行多孔硅材料的制备方法。根据本发明的多孔硅材料的制备方法包括步骤:1)在固体催化剂的作用下,硅与气卤代烃加热反应,并控制硅不完全反应;2)分离未反应的硅,去除杂质后,即制备得到多孔硅材料。通过调节反应条件参数,可调控硅材料的孔径大小和分布及孔隙率。本发明不仅获得目前专利技术难以得到的多孔硅材料,且还可以得到重要的有机硅单体化学品,过程简单,可以实现多孔硅材料的清洁生产,具有广泛的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN102211770A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
申请号 | CN201010146666.X | 申请日期 | 2010.04.12 |
申请人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明人 | 苏发兵;高俊杰;翟世辉;许光文 |
分类号 | C01B33/021(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人 | 高宇;杨小蓉 |
主权项 | 一种多孔硅材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)在固体催化剂的作用下,硅与气卤代烃加热反应,并控制硅不完全反应同时得到有机硅单体;2)分离未反应的硅,去除杂质后,即制备得到多孔硅材料。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条1号 |